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晶圆划片工艺的硅片切割质量评估

来源: 国产划片机 发布时间:2021-05-10

  高精密划片机制造商对于低k晶圆切割质量评估 ,除了正面崩角和背面崩角以外 ,根据实验数据和可靠性结果 ,规定了下述硅片切割质量指标:

 。ǎ保┩芊饣凡辉市沓鱿侄狭 ,分层或其他任何(在200倍显微镜下)可见的损伤。

 。ǎ玻┰诨智铣鱿纸鹗粲隝LD层的分层是允许的 ,只要这种分层能止步于铜密封环外。

 。ǎ常┰谛酒亩ソ乔虻慕鹗簦疘LD层不允许出现分层或损伤 ,唯一的例外是有封装可靠性数据证明在某种特定的芯片设计/封装结构的组合下芯片的顶角区域的损伤可以接受。

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  在晶圆的制造过程中 ,为了获得较高的成品率、较低的制造成本和稳定的工艺制程 ,每一步工艺都处于严格的监控下。因此 ,测试图案被设计出来并对其进行监测 ,以确保关键参数如电参数、制程精度如ILD层/金属层的淀积厚度、掩膜对准精度及金属线宽容差等满足设计要求 ,通常有三种方式来实现晶圆工艺制程监控:

 。╝)离线测试 ,这种测试将所有的测试图案放入被称为“工艺确认晶圆”的特别设计的晶圆上。优点是可以包括所有需要测试的图案 ,因而可以执行一个全面的工艺制程监控;缺点是高成本和费时。它通常应用在产品的研发初期。当产品技术日趋成熟后 ,这种测试方法会被其他的测试方法所取代。

 。╞)测试芯片插入法。所有的测试图案被放入测试芯片内 ,这些测试芯片被安放在晶圆上的不同区域。测试芯片的数目和位置取决于晶圆制造技术的复杂度。优点是它是一种实时监控。如果某种致命的缺陷发生在晶圆制造流程的早期 ,就可以避免由于整个晶圆报废而带来的损失。这种测试方法的缺点是它占用了宝贵的硅片资源 ,尤其是当单个芯片尺寸较大 ,而PDPW(Potential Die Per Wafer)数目较小的时候。

 。╟)周边测试 ,测试图案被放置在划片街区内。将测试图案放在划片街区内能够在实现实时监控的同时 ,节约了宝贵的硅片资源?梢苑沤智牟馐酝及傅氖咳【鲇谠谝桓鲅谀ぃ≧eticle)内划片街区的长度和面积。在一个Reticle内划片街区上的测试图案 ,会随着步进式光刻的科技进化完成项目。

  在一个晶圆上 ,通常有几百个至数千个芯片连在一起 ,我们国产划片机行业正在崛起 ,得到了国家的重视!划片机来自2024欧洲杯竞彩科技 ,未来世界看中国制造!


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